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[题目] 手机防ESD设计! 加分题!!!((进行中))

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发表于 2008-3-18 17:55:28 | 只看该作者
上下壳体结合处尽量做0.7mm以上的防静电墙(止口),如果无法做静电墙,则尽量保证间隙处到PCBA的距离,不可太近

[ 本帖最后由 chenshuangjian 于 2008-3-19 09:33 编辑 ]
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发表于 2008-3-18 17:56:32 | 只看该作者
手机表面的金属装饰件和金属电池盖要通过弹簧或是金属弹性臂或是导电泡棉接地

[ 本帖最后由 chenshuangjian 于 2008-3-19 09:30 编辑 ]

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发表于 2008-3-18 17:58:07 | 只看该作者
DOME上面印刷银浆防ESD,PCB上露铜,DOME自己折弯贴住或是用导电布搭接

侧键处防ESD

[ 本帖最后由 chenshuangjian 于 2008-3-19 09:26 编辑 ]

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发表于 2008-3-18 17:59:21 | 只看该作者
lens处防ESD

[ 本帖最后由 chenshuangjian 于 2008-3-19 09:20 编辑 ]

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发表于 2008-3-18 18:00:22 | 只看该作者
有些大面积的FPC,如按键板,背面需要露铜,用导电胶贴在金属支架上,支架再跟MAIN PCB接地



用绝缘膜封住 PCBA上的容易失效的元器件.当我们所有的改善措施都无法PASS时,我们可以通过硬件的分析,找出是哪个元器件失效,再用绝缘膜将其保护起来

[ 本帖最后由 chenshuangjian 于 2008-3-19 09:51 编辑 ]
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发表于 2008-3-18 22:21:00 | 只看该作者
搞手机品质的也来学学结构
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发表于 2008-3-25 20:34:20 | 只看该作者
如果有一个理想的壳体是密不透风的,静电也就无从而入,当然不会有静电问题了。但实际的壳体在合盖处常有缝隙,而且许多还有金属的装饰片

其一,用“堵”的方法。尽量增加外壳到电路板之间的距离,或者通过一些等效方法增加壳体气隙的距离,这样可以避免或者大大减少ESD的能量强度。

通过结构的改进,可以增大外壳到内部电路之间气隙的距离从而使ESD的能量大大减弱。根据试验,8kV的ESD在通过4mm的距离后能量一般衰减为零。

其二,用“疏”的方法,可以用EMI油漆喷涂在壳体的内侧。EMI油漆是导电的,可以看成是一个金属的屏蔽层,这样可以将静电导在壳体上;
再将壳体与PCB(Printed Circuit Board)的地连接,将静电从地导走。这样处理的方法除了可以防止静电,还能有效抑制EMI的干扰。
如果有足够的空间,还可以用一个金属屏蔽罩将其中的电路保护起来,金属屏蔽罩再连接PCB的GND。
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发表于 2008-3-25 20:37:30 | 只看该作者
(1)PCB板边(包括通孔Via边界)与其它布线之间的距离应大于0.3mm;

(2)PCB的板边最好全部用GND走线包围;

(3)GND与其它布线之间的距离保持在0.2mm~0.3mm;

(4)Vbat与其它布线之间的距离保持在0.2mm~0.3mm;

(5)重要的线如Reset、Clock等与其它布线之间的距离应大于0.3mm;

(6)大功率的线如PA等与其它布线之间的距离保持在0.2mm~0.3mm;

(7)不同层的GND之间应有尽可能多的通孔(VIa)相连;

(8)在最后的铺地时应尽量避免尖角,有尖角应尽量使其平滑。
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发表于 2008-3-25 20:40:35 | 只看该作者
在壳体和PCB的设计中,对ESD问题加以注意之后,ESD还会不可避免地进入到手机电路中,尤其是以下几个部件:SIM卡的CPU读卡电路、键盘电路、耳机、麦克风电路、数据接口、电源接口、USB接口、彩屏LCD驱动接口,这些部位很可能将人体的静电引入手机中。所以,需要在这些部分中使用ESD防护器件

瞬态电压抑制器(TVS)。它是半导体器件,由于其最大特点是快速反应(1ns~5ns)、非常低的极间电容(1pf~3pf),很小的漏电流(1μA)和很大的耐流量,尤其是其结合芯片的方式,非常适合各种接口的防护

在使用时应注意放在需要保护的器件旁边,到地的连线尽可能短,器件的布线应成串联型,而不能布成并联型
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发表于 2008-3-26 00:23:44 | 只看该作者
问个菜级的问题,手机接地通到哪里。静电是导到板子上去吗。导到板子上容易fail.不管是不是板子上的地线。由于
静电在板子上乱窜。还有金属按键。应是打contact吧。哪可不可以加个kapton绝缘起来。哪静电导不进去。不知手机
要打哪些点。是不是孔位都要打air。还有标准是多少呀。emi应也要测吧。
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