填充阵列
“填充阵列”命令会创建一个选定特征的的阵列，该阵列完全填充已定义的区域。填充阵列可以是矩形、交错或径向的。每种填充阵列类型均有一组用于定义阵列的选项。可以手动或使用阵列边界偏置值来抑制事例。可以对填充阵列进行编辑，以产生所需结果。 填充阵列类型
填充阵列工作流程 步骤 1. 选择要设置阵列的特征。 步骤 2. 在“主页”选项卡→“阵列”组→“矩形阵列”列表中，选择“阵列填充”命令。 步骤 3. 单击要进行阵列填充的区域。 步骤 4. 按 Enter 键，单击绿色对勾或右键单击，放置阵列填充预览。 步骤 5. 在阵列填充命令条上，选择阵列填充类型。默认为矩形填充。 步骤 6. 在命令条上，设置所需的阵列选项。 步骤 7. 阵列特征的原点默认为质心。使用方向盘，您可以修改原点、定义第一个阵列行的方向和编辑间距值。也可以单击编辑轮廓手柄修改阵列区域。 步骤 8. 右键单击或单击绿色对勾放置填充阵列。 步骤 9. 左键单击或按 Esc 键结束“阵列填充”命令。  矩形填充默认阵列填充类型。此阵列类型使用事例的行列填充区域。 两个用于定义行列间距的值。使用 Tab 键在间距值框之间进行切换。
单击方向盘环面，然后输入一个角度值，更改阵列行的方向矢量。在矩形填充阵列中，列始终与行的方向保持垂直对齐。
 交错填充此阵列类型使用交错的事例行填充区域。
极偏置和线性偏置是控制交错填充阵列的选项。 使用极选项，(A) 是第一行中事例的间距。(B) 定义偏置行。间距是由旋转角度及行间距值的半径所定义的。
使用线性偏置选项，(C) 是第一行上方（和下方）的事例的偏置间距。(D) 定义行之间的间距。
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